MEB FEG (à l'ENSAM) : pour l'imagerie SE, BSE, la microanalyse EDS, et les essais in-situ (traction, flexion)
- Responsable : Sarah BAÏZ
- Co-formateurs : Thierry MALOT, Frédéric VALES
- Localisation : CNAM
- Marque : HITACHI
- Modèle : 4800-S
- Année d’acquisition : 2007, grâce au soutien de la Région IDF dans le cadre du programme SESAME 2004, des Arts et Métiers et du CNRS
- Applications : MEB haute résolution pour réaliser de l’imagerie SE, BSD et analyse chimique semi-quantitative EDS, sur des échantillons conducteurs ou isolants (observation possible à basse tension, sans métallisation préalable)
- Caractéristiques techniques :
- MEB à émission de champs (Field Emission Gun)
- Tensions d’accélération : 0.5-30 kV
- Grossissement : jusque x 800 000
- Détecteurs électrons secondaires (SE) et rétrodiffusés (BSE, détecteurs dans la chambre et in-lens)
- Détecteur EDS pour microanalyse chimique par photons X : THERMO Scientific – Silicon Drift (i.e. sans azote liquide)
- Imagerie par transmission grâce au montage et détecteurs STEM
- Caméra infrarouge pour visualiser l’intérieur de la chambre
- Gamme de mesure en Z : 524 µm (résolution 1 A°)
- Manuel d’utilisation
- Fiche sécurité ci-joint (bas de page)
- Essais mécaniques in-situ :
- Responsables : Sarah BAÏZ, Jean-Baptiste MARIJON
- Machine DEBEN, acquise en 2010
- Capacité 5 kN
- Course de déplacement 20 mm
- Montages disponibles : flexion 3 ou 4 points ; traction (montage en cours de conception)
- Platine d’essai pouvant être installée sur le MEB ainsi que sur d'autres équipements au laboratoire (microscopes optiques, bancs de diffraction) ou hors du laboratoire (tomographe, synchroton de l'ESRF à Grenoble ...).
- Guide d’utilisation
MEB TUNGSTENE (à l'ENSAM) : pour l'imagerie SE uniquement
- Responsables : Sarah BAÏZ
- Localisation : Halle 4, salle à gauche du MEB FEG (H4.0.2)
- Marque : PHILIPS / FEI
- Modèle : XL40
- Mise en service en 1995, racheté par le PIMM en 2012, remodernisé en 2014.
- Applications : Imagerie de contrôle uniquement (SE/BSE)
- Caractéristiques techniques :
- MEB à filament de Tungstène
- Tensions d’accélération : 0.2-30 kV
- Grossissement : jusque x 100 000
- Détecteurs : SE, BSE (détecteur EBSD transféré depuis début 2020 sur le MEB tungstène ZEISS EVO MA10 du CNAM, plus récent)
- Caméra infrarouge pour visualiser l’intérieur de la chambre
- Chambre de grande taille (dimensions intérieures : 379 x 325 x 315 mm)
- Platine 5 axes (X, Y et rotation motorisés, Z et tilts manuels)
- Air comprimé : compresseur JUN-AIR OF302-25B
- Pompage primaire : 2 pompes à vide à palette EDWARDS RV8
- Secondaire : pompe turbomoléculaire (vide < 4.10-6 mBar)
- Chambre sur table à coussin d’air
- OS : WINDOWS XP
- Manuel d’utilisation
- Fiche sécurité
MEB TUNGSTENE (au CNAM) : pour les analyses EBSD en priorité
- Responsable : Sarah BAÏZ
- Localisation : CNAM Paris
- Marque : ZEISS
- Modèle : EVO MA-10
- Année d’acquisition : 2009, comme support pour la formation continue et la recherche au CNAM
- Applications : MEB haute résolution pour réaliser de l’imagerie SE, BSD et analyse chimique semi-quantitative EDS, sur des échantillons conducteurs ou isolants (observation possible à basse tension, sans métallisation préalable)
- Caractéristiques techniques :
- MEB à filament de Tungstène
- Imagerie en électrons secondaires (SE) et rétrodiffusés (BSE)
- Microanalyse chimique EDS par photons X : détecteur BRUKER XFlash 5010
- Analyse EBSD (détecteur Nordif UF1000 - Résolution 1 µm ; 0.5°- Logiciel TSL OIM Analysis)
- Platine motorisée 5 axes
- Hauteur maximale de l'échantillon : 100 mm
- Grossissement : jusque x 1 000 000
- Tension d'accélération : 0,2 à 30 kV
- Courant de sonde : 0,5 pA à 5 μA
- Manuel d'utilisation
- Fiche sécurité
- Métalliseur Or
- Localisation : salle du MEB au CNAM
- Marque : EDWARDS
- Modèle : S510-B
- Applications : métallisation de surfaces à observer au MEB à tension élevée.
- Caractéristiques techniques :
- Injection d’argon possible
- Pompe EDWARDS E2M2
- Vitesse de dépôt : ~60 nm/min
- Table porte-échantillon : Ø 100 mm
- Cible (cathode) : Or
- Descriptif technique ci-joint (bas de page)
Document(s) joint(s)
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